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  • DB35T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法

    DB35T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
    发光二极管芯片点测方法测试质量
    19 浏览2025-06-04 更新pdf0.5MB 未评分
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    摘要:本文件规定了发光二极管芯片点测的术语和定义、测试条件、测试设备、测试步骤及结果判定。本文件适用于发光二极管芯片的点测评估及相关性能检测。
    Title:Test Method for Light Emitting Diode Chip Dotting
    中国标准分类号:L80
    国际标准分类号:31.140

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    DB35T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
  • 拓展解读

    福建省地方标准《发光二极管芯片点测方法》(DB35/T 1370-2013)是针对LED芯片测试制定的技术规范。以下对其中的重要条文进行详细解读:

    1. 范围:该标准规定了发光二极管芯片的点测方法,包括术语和定义、测试条件、测试项目及要求等内容。适用于LED芯片的性能检测。

    2. 术语和定义:明确了关键术语如“发光二极管芯片”、“正向电压”等概念,为后续测试提供了统一的语义基础。

    3. 测试条件:规定了环境温度应在25℃±2℃范围内,相对湿度不超过85%,并要求在暗室条件下进行测试以避免外界光线干扰。

    4. 测试项目及要求:

    - 正向电流与正向电压特性:要求正向电流从0 mA到最大工作电流范围内测量对应的正向电压值。

    - 反向漏电流:在规定的反向电压下测量漏电流,确保其符合设计指标。

    - 光输出功率:通过积分球法测定,在额定正向电流下获取光输出功率数据。

    - 波长分布:利用分光光度计测量发光峰值波长及其半宽度。

    - 温度影响特性:考察不同温度条件下各项参数的变化情况。

    5. 测试设备:推荐使用高精度数字万用表、恒流源、积分球系统、分光光度计等专业仪器,并定期校准保证准确性。

    6. 数据记录与处理:强调原始数据应完整保存,计算结果需经过统计分析后给出最终结论。

    此标准为LED芯片生产企业提供了科学合理的检测依据,有助于提升产品质量一致性。

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