DB35T 1146-2011 硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法

摘要：本文件规定了用辉光放电质谱法测定硅材料中杂质元素含量的方法。本文件适用于硅材料中痕量和超痕量杂质元素的定量分析。
Title：Determination of Impurity Elements in Silicon Materials by Glow Discharge Mass Spectrometry
中国标准分类号：J76
国际标准分类号：71.040.50

DB35/T 1146-2011《硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法》是一项福建省地方标准，该标准规定了使用辉光放电质谱法测定多晶硅、单晶硅及硅片中痕量杂质元素含量的方法。以下是对该标准中一些关键条款的详细解读。

### 范围

本标准适用于多晶硅、单晶硅以及硅片中痕量杂质元素的定量分析。其检测限通常在ppb（十亿分之一）级别，能够满足高纯度硅材料的质量控制需求。

### 原理

辉光放电质谱法通过辉光放电使样品表面原子化并离子化，随后利用质谱仪分离和检测不同质量数的离子。这种方法具有较高的灵敏度和选择性，适合用于痕量元素的测定。

### 仪器与设备

标准要求使用的辉光放电质谱仪需具备良好的稳定性和分辨率。此外，还需要配备适当的真空系统、数据处理软件等辅助设备。确保仪器处于最佳工作状态对于获得准确可靠的结果至关重要。

### 样品制备

样品制备是整个实验过程中的关键步骤之一。首先应对样品进行清洗以去除表面污染物，然后将样品固定于样品架上，并根据需要调整样品位置。样品制备过程中应避免引入新的污染源。

### 分析条件

辉光放电参数如电流强度、电压水平等直接影响到离子化效率。因此，在实际操作前应当对这些参数进行优化试验，找到最适合待测元素的最佳条件组合。同时也要注意控制好背景噪声水平，以便提高信噪比。

### 数据处理

数据处理主要包括峰识别、积分计算等方面。对于每个目标元素而言，都需要确定其特征峰位置，并通过积分得到相应强度值。之后可通过内标法或外标法建立校准曲线来进行定量分析。需要注意的是，在处理数据时应该充分考虑可能存在的干扰因素，并采取适当措施予以消除。

### 结果表示

最终结果通常以百分比形式或者直接给出具体浓度数值来表示。当采用百分比形式时，则需要明确指出所参照的标准物质信息；而直接给出浓度值时，则需注明单位以及不确定度范围等内容。

以上就是关于DB35/T 1146-2011《硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法》部分重要内容的详细解读。希望可以帮助大家更好地理解和应用这项技术来进行硅材料中杂质元素含量的精确测定。