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  • 晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备第1部分:管式PECVD 设备 SJT 11829.1-2022

    晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备第1部分:管式PECVD 设备 SJT 11829.1-2022
    晶体硅光伏电池PECVD管式设备化学气相沉积光伏制造
    16 浏览2025-06-06 更新pdf6.81MB 未评分
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    摘要:本文件规定了晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备中管式PECVD设备的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于晶体硅光伏电池制造过程中使用的管式PECVD设备。
    Title:Photovoltaic Devices - Part 1: Tubular PECVD Equipment for Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) of Crystalline Silicon Photovoltaic Cells
    中国标准分类号:L80
    国际标准分类号:27.160

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    晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备第1部分:管式PECVD 设备 SJT 11829.1-2022
  • 拓展解读

    晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备 第1部分:管式PECVD设备

    SJT 11829.1-2022标准概述

    SJT 11829.1-2022是中国针对晶体硅光伏电池制造中使用的管式等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备制定的技术规范。该标准旨在统一设备的设计、制造和测试要求,以提高光伏电池的生产效率和产品质量。

    • 标准适用于光伏行业中的管式PECVD设备。
    • 规定了设备的基本参数、性能指标以及安全要求。
    • 为设备制造商提供了明确的设计指南和技术参考。

    管式PECVD设备的工作原理

    管式PECVD设备通过利用等离子体技术,在高温条件下将反应气体沉积在硅片表面,形成高质量的薄膜材料。这种工艺广泛应用于光伏电池的钝化膜制备。

    • 设备的核心组件包括反应腔室、射频电源、气体输送系统和温度控制系统。
    • 射频电源产生等离子体,激活反应气体。
    • 精确的温度控制确保薄膜均匀沉积。

    设备的关键性能指标

    • 反应腔室尺寸与形状:直接影响薄膜沉积的均匀性。
    • 射频功率范围:决定了等离子体的活性程度。
    • 气体流量控制精度:影响薄膜的厚度和质量。
    • 温度稳定性:确保工艺的一致性和重复性。

    标准对设备设计的要求

    SJT 11829.1-2022强调设备的设计应满足高效、可靠和环保的原则:

    • 设备应具备良好的密封性能,防止气体泄漏。
    • 射频电源需具有可调性和稳定性,以适应不同工艺需求。
    • 设备应配备完善的监控系统,实时监测关键参数。
    • 材料选择需符合耐腐蚀和耐高温的要求。

    结论

    SJT 11829.1-2022标准为管式PECVD设备的规范化发展提供了重要指导。通过遵循该标准,设备制造商可以提升产品的质量和市场竞争力,同时推动光伏行业的技术进步和可持续发展。

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