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  • 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 SJT 11866-2022

    半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 SJT 11866-2022
    半导体光电子器件硅衬底白光功率发光二极管LED详细规范
    16 浏览2025-06-06 更新pdf8.19MB 未评分
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    摘要:本文件规定了硅衬底白光功率发光二极管的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以硅衬底为基材制造的白光功率发光二极管,其他类似产品的性能评估也可参考使用。
    Title:Specification for Silicon Substrate White Power Light Emitting Diodes of Semiconductor Optoelectronic Devices
    中国标准分类号:L80
    国际标准分类号:31.140

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    半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 SJT 11866-2022
  • 拓展解读

    半导体光电子器件:硅衬底白光功率发光二极管详细规范 SJT 11866-2022

    随着半导体技术的飞速发展,发光二极管(LED)因其高效、节能和环保的特点,在照明和显示领域得到了广泛应用。其中,硅衬底白光功率发光二极管凭借其独特的材料特性和性能优势,成为研究热点之一。为了规范此类器件的设计、生产和测试标准,中国制定了《半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 SJT 11866-2022》。本文将围绕该标准的核心内容进行分析,并探讨其对行业发展的意义。

    标准概述

    SJT 11866-2022 是针对硅衬底白光功率发光二极管的技术规范,旨在为制造商提供明确的设计指南和质量控制标准。该标准不仅涵盖了器件的基本参数要求,还涉及了生产过程中的关键工艺指标和测试方法。

    核心内容解析

    • 基本参数要求:
      • 工作电压范围:3V 至 5V
      • 发光波长:450nm 至 470nm(蓝光转换为白光)
      • 发光效率:≥120 lm/W
      • 使用寿命:≥50,000 小时
    • 材料与结构要求:
      • 采用高质量硅衬底,确保热导率不低于 150 W/m·K
      • 外延层厚度需满足±10%的公差范围
      • 芯片表面应具有良好的光学均匀性
    • 生产工艺要求:
      • 外延生长需在严格控制的环境下进行,避免污染
      • 芯片切割过程中应保持边缘整齐,无裂纹
      • 封装材料需具备高透光率和耐高温特性
    • 测试与验证:
      • 电学性能测试:包括正向电流、反向击穿电压等
      • 光学性能测试:测量发光强度、色温及显色指数
      • 可靠性测试:模拟实际工作环境下的老化试验

    标准的意义与影响

    SJT 11866-2022 的发布为硅衬底白光功率发光二极管的标准化生产提供了科学依据,有助于提升产品质量和市场竞争力。同时,该标准推动了相关产业链的技术进步,促进了节能环保型照明产品的普及应用。

    此外,该标准还为科研机构和企业研发下一代高性能 LED 提供了参考框架,鼓励技术创新并降低开发成本。未来,随着更多企业和国家采纳类似的标准,全球半导体光电子产业将迎来更加规范化、可持续的发展局面。

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