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  • SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法

    SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法
    硅开关二极管反向击穿电压测试方法半导体器件电性能
    15 浏览2025-06-07 更新pdf0.05MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了硅开关二极管反向击穿电压的测试方法,包括测试条件、测试设备和测试步骤。本文件适用于硅开关二极管的生产、检验及质量控制。
    Title:Test Method for Reverse Breakdown Voltage of Silicon Switching Diodes
    中国标准分类号:M63
    国际标准分类号:31.080

  • 封面预览

    SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法
  • 拓展解读

    总结 SJ 966-1975 的主要内容

    SJ 966-1975 是一项关于硅开关二极管反向击穿电压测试方法的标准。该标准详细规定了测试环境、设备要求以及具体的测试步骤,以确保测试结果的准确性和可重复性。

    • 测试环境: 要求在特定温度和湿度条件下进行测试,以排除外界因素对测试结果的影响。
    • 设备要求: 需要使用高精度的电压源、电流表以及保护电路,确保测试过程中设备的安全性和准确性。
    • 测试步骤: 包括设置测试参数、施加电压、记录击穿电压值等具体操作流程。

    对比老版本的变化

    与老版本相比,SJ 966-1975 在以下几个方面进行了改进和优化:

    • 更严格的测试环境控制: 新版本对温度和湿度的要求更加严格,以提高测试数据的可靠性。
    • 设备升级: 强调使用更高精度的测量仪器,并增加了对设备校准频率的规定。
    • 测试步骤细化: 对关键步骤进行了详细说明,增加了安全注意事项,避免测试过程中的潜在风险。
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