资源简介
摘要:本文件规定了硅开关二极管反向击穿电压的测试方法,包括测试条件、测试设备和测试步骤。本文件适用于硅开关二极管的生产、检验及质量控制。
Title:Test Method for Reverse Breakdown Voltage of Silicon Switching Diodes
中国标准分类号:M63
国际标准分类号:31.080
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拓展解读
SJ 966-1975 是一项关于硅开关二极管反向击穿电压测试方法的标准。该标准详细规定了测试环境、设备要求以及具体的测试步骤,以确保测试结果的准确性和可重复性。
与老版本相比,SJ 966-1975 在以下几个方面进行了改进和优化:
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