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资源简介
摘要：本文件规定了3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的设计、生产和检验。
Title：Specification for 3DG181 Type NPN Silicon Epitaxial Planar High Frequency Low Power High Reverse Voltage Transistor
中国标准分类号：M25
国际标准分类号：31.080 -
封面预览
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拓展解读
总结 SJ 801-1974 3DG181 型三极管
SJ 801-1974 标准定义了 3DG181 型 NPN 硅外延平面高频小功率高反压三极管的技术要求和性能指标。该三极管主要用于高频电路中，具有较高的反向击穿电压和较小的功率损耗。
对比老版本的变化
- 材料改进: 使用了更先进的硅外延平面工艺，提高了器件的频率特性和稳定性。
- 性能提升: 相较于老版本，反向击穿电压显著提高，适合更高电压的应用场景。
- 功耗优化: 小功率设计进一步降低了热效应，延长了使用寿命。
- 一致性增强: 新标准对生产过程中的参数一致性提出了更高要求，确保产品批次间的性能稳定。
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