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资源简介
摘要：本文件规定了3DD 313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DD 313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管的设计、生产和验收。
Title：Electronic Components Detailed Specification - 3DD 313 Type Silicon NPN Low Frequency Amplifier Bipolar Transistor with Shell Rated
中国标准分类号：M51
国际标准分类号：31.080.01 -
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拓展解读
摘要
SJT 10053-1991 是中国制定的一项关于电子元器件的详细规范，其中对特定型号的晶体管如 3DD 313 型硅 NPN 低频放大管壳进行了明确的技术要求和性能标准。本文将围绕该规范展开分析，探讨其在现代电子工程中的应用价值与技术特点。
引言
随着电子技术的发展，高性能、高可靠性的半导体器件成为工业生产的核心需求之一。SJT 10053-1991 规范为电子元器件的设计、制造及检测提供了统一的标准，而 3DD 313 型晶体管作为一款典型的双极型晶体管，在低频放大电路中具有广泛的应用场景。
3DD 313 型晶体管的技术特性
根据 SJT 10053-1991 的规定，3DD 313 型晶体管是一种基于硅材料的 NPN 结构低频放大管壳。其主要技术参数如下：
- 工作频率范围：适用于低频（< 1 MHz）信号放大。
- 集电极电流：最大可达 3 A。
- 集电极-发射极电压：最高支持 30 V。
- 功率耗散：不超过 1 W。
- 封装形式：采用金属管壳封装，具备良好的散热性能。
规范的意义与影响
SJT 10053-1991 对于确保产品质量的一致性至关重要。通过对 3DD 313 型晶体管的严格定义，该规范不仅为制造商提供了明确的设计指南，还为用户提供了可靠的选型依据。此外，这一标准促进了国内外技术交流，为中国电子产业的标准化进程奠定了基础。
结论
综上所述，SJT 10053-1991 中关于 3DD 313 型晶体管的规定体现了我国在电子元器件领域的技术积累与创新能力。在未来的发展中，此类规范将继续推动电子行业的进步，并为更多新型电子设备的研发提供技术支持。
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