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资源简介
摘要：本文件规定了3CD100型低频大功率晶体管的术语、定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3CD100型低频大功率晶体管的设计、生产和验收。
Title：Semiconductor Discrete Devices - Detailed Specifications for 3CD100 Type Low Frequency High Power Transistor
中国标准分类号：M62
国际标准分类号：31.080 -
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拓展解读
摘要
本文旨在详细介绍SJ 5003392-1995标准中关于3CD100型低频大功率晶体管的规范要求。该标准为半导体分立器件的设计、生产与应用提供了详尽的技术指导，确保了产品的可靠性和一致性。
引言
随着电子技术的发展，半导体分立器件在现代电子系统中的作用日益重要。3CD100型低频大功率晶体管作为一种广泛应用的器件，其性能直接影响到整个系统的稳定性和效率。因此，了解并遵循相关标准显得尤为重要。
标准概述
SJ 5003392-1995标准对3CD100型晶体管的电气特性、机械结构以及测试方法进行了明确规定。以下是该标准的主要内容：
- 电气特性
- 额定功率：不低于100W
- 工作频率范围：10Hz至10kHz
- 最大集电极电流：≥5A
- 最小击穿电压：≥50V
- 机械结构
- 封装形式：TO-126
- 引脚数量：3个
- 尺寸公差：±0.2mm
- 测试方法
- 使用标准测试仪器进行参数测量
- 环境温度范围：-40℃至+125℃
- 老化测试时间：≥100小时
结论
通过遵循SJ 5003392-1995标准，可以确保3CD100型低频大功率晶体管的质量和性能达到预期要求。本标准不仅为制造商提供了明确的技术指南，也为用户提供了可靠的产品保障。
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