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资源简介
摘要：本文件规定了CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管的术语、符号、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管的设计、生产和验收。
Title：Semiconductor Discrete Devices - CS140 Type Silicon N-Channel MOS Depletion Mode Field Effect Transistor - Detailed Specifications
中国标准分类号：M32
国际标准分类号：31.080.30 -
封面预览
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拓展解读
概述
SJ 5003384-1995 是关于 CS140 型硅 N 沟道 MOS 耗尽型场效应晶体管的详细规范，用于定义该器件的技术要求和测试方法。
主要内容
- 电气特性：包括最大漏极电流、击穿电压、阈值电压等参数。
- 热特性：描述了器件的最高工作温度和热阻抗。
- 机械特性：规定了封装形式、引脚布局和尺寸要求。
- 测试方法：提供了详细的测试条件和测量步骤。
与老版本的变化
- 增加了对更高工作温度范围的支持。
- 优化了热阻抗参数，提升了散热性能。
- 更新了部分测试方法以符合最新的行业标准。
- 改进了封装设计，增强了机械强度和可靠性。
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