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资源简介
摘要：本文件规定了3DA331硅微波功率晶体管的术语、定义、符号、技术要求、测试方法及标志和包装等详细规范。本文件适用于3DA331硅微波功率晶体管的设计、生产和验收。
Title：Semiconductor Discrete Devices - Detailed Specifications for 3DA331 Silicon Microwave Power Transistor
中国标准分类号：M62
国际标准分类号：31.080 -
封面预览
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拓展解读
概述
SJ 5003377-1995 是关于 3DA331 硅微波功率晶体管的详细规范，用于指导半导体分立器件的设计、生产和测试。
主要内容
- 电气特性：规定了晶体管的工作电压、电流、增益等关键参数。
- 机械结构：描述了晶体管的封装形式、尺寸和材料要求。
- 环境适应性：包括工作温度范围、湿度要求以及抗冲击和振动能力。
- 测试方法：明确了晶体管性能测试的标准流程和工具。
与老版本的变化
- 电气参数优化：新版本提高了最大输出功率和增益值，以满足更高性能需求。
- 封装改进：更新了封装材料，增强了散热性能和可靠性。
- 测试标准更新：引入了更先进的测试设备和技术，确保数据准确性。
- 环境要求增强：扩展了工作温度范围，并增加了防潮和防腐蚀措施。
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