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摘要:本文件规定了3DD167型低频大功率晶体管的技术要求、测试方法、质量评定程序及标志、包装、运输和贮存要求。本文件适用于3DD167型低频大功率晶体管的设计、生产和验收。
Title:Semiconductor Discrete Devices - Detailed Specifications for 3DD167 Type Low Frequency High Power Transistor
中国标准分类号:M52
国际标准分类号:31.080.01
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拓展解读
SJ 50033134-1997 半导体分立器件.3DD167型低频大功率晶体管详细规范
这是中国国家标准化管理委员会发布的一项国家标准,用于规范半导体分立器件中3DD167型低频大功率晶体管的技术要求和测试方法。
3DD167型晶体管是一种低频大功率晶体管,广泛应用于工业设备、电源系统、电机控制等领域,适合需要高电流输出的应用场景。
在选择时,需根据实际应用场景确定其额定电压、电流和功耗是否满足需求。同时,注意检查散热设计是否符合晶体管的热特性要求。
由于其特征频率fT较低,3DD167型晶体管无法有效处理高频信号,因此仅适用于低频工作环境。
常见的封装形式包括TO-126、TO-220等,具体选择取决于散热需求和安装空间限制。
通过测量其关键参数(如击穿电压、电流增益等),并与SJ 50033134-1997标准中的规定值对比,确保其性能符合要求。
不能直接替代,不同型号的晶体管可能具有不同的电气特性和封装尺寸,需根据具体应用重新评估。
截至最新信息,该标准仍然有效。建议查阅官方发布机构以获取最新版本或相关修订内容。