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  • SJ 50033122-1997 半导体分立器件.CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范

    SJ 50033122-1997 半导体分立器件.CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
    半导体分立器件硅N沟道结型场效应晶体管CS3684CS3687详细规范
    13 浏览2025-06-07 更新pdf0.31MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管的设计、生产和验收。
    Title:Semiconductor Discrete Devices - Detailed Specifications for Silicon N-Channel Junction Field Effect Transistors of Type CS3684 to CS3687
    中国标准分类号:M12
    国际标准分类号:31.080

  • 封面预览

    SJ 50033122-1997 半导体分立器件.CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
  • 拓展解读

    概述

    SJ 50033122-1997 是关于 CS3684~CS3687 型硅 N 沟道结型场效应晶体管的详细规范,用于指导半导体分立器件的设计、生产和测试。

    主要内容

    • 产品分类: 规定了 CS3684~CS3687 的具体型号及其技术参数。
    • 电气特性: 包括最大漏极电流、击穿电压、跨导等关键指标。
    • 机械特性: 描述了封装形式、引脚布局及尺寸要求。
    • 测试方法: 提供了详细的测试条件和步骤,确保产品质量一致性。
    • 应用领域: 针对高频放大器、开关电路等应用场景进行了说明。

    与老版本的变化

    • 更新技术参数: 新版本提高了部分电气特性的性能指标。
    • 改进测试方法: 引入了更精确的测量手段,增强了数据可靠性。
    • 扩展应用范围: 增加了更多典型应用场景,并优化了设计建议。
    • 强化质量控制: 对生产过程中的工艺要求更加严格,提升了整体品质。
  • 下载说明

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