• 首页
  • 查标准
  • 下载
  • 专题
  • 标签
  • 首页
  • 标准
  • 制造
  • SJ 50033.50-1994 半导体分立器件.QL73型硅三相桥式整流器详细规范

    SJ 50033.50-1994 半导体分立器件.QL73型硅三相桥式整流器详细规范
    半导体分立器件硅三相桥式整流器QL73型整流器详细规范
    15 浏览2025-06-07 更新pdf0.24MB 未评分
    加入收藏
    立即下载
  • 资源简介

    摘要:本文件规定了QL73型硅三相桥式整流器的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于QL73型硅三相桥式整流器的设计、生产和验收。
    Title:Semiconductor Discrete Devices - Detailed Specifications for QL73 Type Silicon Three-phase Bridge Rectifier
    中国标准分类号:M61
    国际标准分类号:31.080

  • 封面预览

    SJ 50033.50-1994 半导体分立器件.QL73型硅三相桥式整流器详细规范
  • 拓展解读

    摘要

    SJ 50033.50-1994 是一项关于半导体分立器件的国家标准,其中对 QL73 型硅三相桥式整流器的技术要求、测试方法及应用规范进行了详细的描述。本文旨在通过分析该标准的核心内容,探讨其在现代电力电子技术中的重要性以及潜在的应用价值。

    引言

    随着电力电子技术的快速发展,半导体分立器件在工业和消费电子领域得到了广泛应用。QL73 型硅三相桥式整流器作为一种关键的电力转换元件,在交流到直流的转换过程中发挥着重要作用。SJ 50033.50-1994 标准为该器件的设计、生产与检测提供了统一的技术依据,确保了产品的质量和可靠性。

    QL73 型硅三相桥式整流器的技术要求

    • 材料与结构: QL73 型硅三相桥式整流器采用高纯度硅材料制造,具有良好的热稳定性和电学性能。
    • 电气特性: 根据标准,该器件的额定电流范围为 10A 至 50A,额定电压范围为 500V 至 1200V。此外,还规定了正向压降、反向漏电流等关键参数。
    • 环境适应性: 器件需满足特定的工作温度范围(通常为 -55°C 至 +150°C),并具备良好的抗冲击和振动能力。

    测试方法

    • 电气性能测试: 包括正向压降、反向恢复时间、浪涌电流等参数的测量。
    • 可靠性测试: 涉及高温老化试验、湿热试验及机械应力测试,以验证器件的长期稳定性。
    • 环境适应性测试: 在不同温度和湿度条件下评估器件的性能变化。

    标准的应用与意义

    SJ 50033.50-1994 标准不仅为 QL73 型硅三相桥式整流器的生产提供了明确的技术指导,还在推动我国电力电子产业标准化进程中发挥了重要作用。该标准的实施有助于提高产品质量,降低生产成本,并促进国内外市场的兼容性。

    结论

    QL73 型硅三相桥式整流器作为电力电子系统中的核心组件,其性能直接关系到整个系统的效率与稳定性。SJ 50033.50-1994 标准通过对器件的技术要求和测试方法的明确规定,为行业的健康发展奠定了坚实的基础。未来,应进一步完善相关标准体系,推动技术创新与产业升级。

  • 下载说明

    预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象,仅为图片呈现问题,不影响文档的下载及阅读体验。

    当文档总页数显著少于常规篇幅时,建议审慎下载。

    资源简介仅为单方陈述,其信息维度可能存在局限,供参考时需结合实际情况综合研判。

    如遇下载中断、文件损坏或链接失效,可提交错误报告,客服将予以及时处理。

  • 相关资源
    下一篇 SJ 50033.49-1994 半导体分立器件.2CJ4220系列阶跃二极管详细规范

    SJ 50033.48-1994 半导体分立器件.2DV8CP型硅微波检波二极管详细规范

    SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范

    SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

    SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

资源简介
封面预览
拓展解读
下载说明
相关资源
  • 帮助中心
  • 网站地图
  • 联系我们
2024-2025 WenDangJia.com 浙ICP备2024137650号-1