资源简介
摘要:本文件规定了同型外延层厚度的红外干涉测试方法的技术要求、试验条件和数据处理方法。本文件适用于半导体材料中同型外延层厚度的测量。
Title:Test Method for Thickness of Homoepitaxial Layer by Infrared Interference
中国标准分类号:M63
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
以下是关于SJ 2758-1987标准中同型外延层厚度红外干涉测试方法的一些常见问题及其解答。
SJ 2758-1987 是中国国家标准化管理委员会发布的一项技术标准,主要用于规范通过红外干涉法测量半导体材料中同型外延层厚度的方法。这项测试方法广泛应用于半导体器件制造领域,用于确保产品质量和一致性。
同型外延层是指在半导体基片上生长的一层与基片具有相同导电类型的材料。这种层通常用于改善器件性能或隔离不同功能区域。准确测量其厚度对于半导体器件的设计和生产至关重要。
红外干涉法利用光的干涉现象来测量薄膜的厚度。当红外光照射到同型外延层时,部分光线会在上下表面反射并发生干涉。通过分析干涉图样,可以计算出外延层的厚度。这种方法具有非接触、高精度的特点。
为了确保测试结果的准确性,需要特别注意以下几点:
红外干涉法的误差可能来源于以下几个方面:
可以通过以下方式验证测试方法的可靠性:
如果测试结果显示外延层厚度超出允许范围,应采取以下措施:
红外干涉法相较于其他方法(如X射线衍射法或光学显微镜法),具有以下优势:
您可以从国家标准化管理委员会官方网站或相关出版机构购买标准文件,或者通过图书馆查阅相关资料。此外,一些专业机构也可能提供标准文本的借阅服务。
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