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  • SJ 2673.1-1986 电子元器件详细规范3DA311型470MHz管壳额定的低电压双极型功率晶体管

    SJ 2673.1-1986 电子元器件详细规范3DA311型470MHz管壳额定的低电压双极型功率晶体管
    电子元器件功率晶体管低电压双极型470MHz
    13 浏览2025-06-07 更新pdf0.58MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了3DA311型470MHz管壳额定的低电压双极型功率晶体管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DA311型低电压双极型功率晶体管的设计、生产和验收。
    Title:Specification for 3DA311 Type 470MHz Low Voltage Bipolar Power Transistor
    中国标准分类号:M62
    国际标准分类号:31.080.20

  • 封面预览

    SJ 2673.1-1986 电子元器件详细规范3DA311型470MHz管壳额定的低电压双极型功率晶体管
  • 拓展解读

    总结主要内容

    SJ 2673.1-1986 是一项关于电子元器件的详细规范,主要针对3DA311型470MHz管壳的低电压双极型功率晶体管。该标准详细规定了此类晶体管的技术要求、测试方法、检验规则以及标志、包装等内容。

    • 技术要求:包括晶体管的电气参数、机械性能和环境适应性等。
    • 测试方法:明确了各项参数的测量方式和标准条件。
    • 检验规则:规定了产品的检验流程和合格判定标准。
    • 标志与包装:对产品的标识和包装提出了具体要求。

    对比老版本的变化

    与老版本相比,SJ 2673.1-1986 在以下几个方面进行了更新和改进:

    • 技术指标提升:提高了晶体管的工作频率和功率输出能力。
    • 测试方法优化:引入了更精确的测量技术和设备,确保数据准确性。
    • 环境适应性增强:增加了对极端温度和湿度条件下的性能测试要求。
    • 可靠性要求提高:加强了对产品长期稳定性的评估。
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