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资源简介
摘要：本文件规定了3CD647型PNP硅外延平面低频大功率三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3CD647型PNP硅外延平面低频大功率三极管的设计、生产和验收。
Title：SJ 2376-1983 Specifications for 3CD647 Type PNP Silicon Epitaxial Planar Low Frequency High Power Transistor
中国标准分类号：M51
国际标准分类号：31.080 -
封面预览
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拓展解读
主要内容总结
SJ 2376-1983 3CD647型PNP硅外延平面低频大功率三极管是一种用于低频环境下的大功率电子器件，广泛应用于工业和电子设备中。
对比老版本的变化
- 材料改进: 新版本采用了更先进的硅外延平面工艺，提升了整体性能和稳定性。
- 功率提升: 相较于老版本，新版本的功率输出能力有所增强，能够更好地满足高负载需求。
- 频率适用性: 虽然仍为低频设计，但新版本在低频范围内的表现更加优异，减少了信号失真。
- 可靠性增强: 新版本通过优化设计，显著提高了长期使用的可靠性和耐用性。
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