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  • SJ 2286-1983 3DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管

    SJ 2286-1983 3DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
    三极管NPN硅外延低噪声超高频
    15 浏览2025-06-07 更新pdf0.16MB 未评分
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    摘要:本文件规定了3DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管的设计、生产和验收。
    Title:Specification for 3DG147 Type NPN Silicon Epitaxial Planar Ultra-High Frequency Low Noise Small Power Transistor
    中国标准分类号:M62
    国际标准分类号:31.080.01

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    SJ 2286-1983 3DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
  • 拓展解读

    主要内容

    SJ 2286-1983 标准规定了3DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管的技术要求和测试方法。该标准适用于高频电路中需要低噪声性能的场景。

    对比与老版本的变化

    • 材料改进: 新版本采用了更高纯度的硅材料,提升了晶体管的整体性能。
    • 频率范围扩展: 频率上限从原来的500MHz提升至1GHz,适应更广泛的高频应用需求。
    • 噪声系数优化: 噪声系数降低了约20%,更适合对信号失真要求严格的场合。
    • 功耗调整: 最大功耗略有增加,以支持更高的输出电流需求。
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