资源简介
摘要:本文件规定了3DG145型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于3DG145型三极管的设计、生产和验收。
Title:Specification for 3DG145 Type NPN Silicon Epitaxial Planar Ultra-High Frequency Low-Noise Small Signal Transistor
中国标准分类号:M62
国际标准分类号:31.080.20
封面预览
拓展解读
SJ 2284-1983 3DG145型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管是电子电路设计中常用的元件之一,以下是关于该型号三极管的一些常见问题及其解答。
3DG145是一种NPN型硅外延平面结构的小功率三极管,主要用于高频、低噪声的应用场景。它符合SJ 2284-1983国家标准,广泛应用于通信设备、射频电路等领域。
3DG145的偏置电压需要根据具体电路需求进行设置。一般情况下:
3DG145采用了硅外延平面技术,这种技术能够有效降低器件内部的寄生效应,从而减少噪声的产生。此外,其高频特性也有助于提高信号的纯净度。
相比于普通三极管,3DG145具有以下优势:
可以通过以下方法判断3DG145是否正常工作:
在某些情况下,3DG145可以作为替代品使用,但需要满足以下条件:
为了延长使用寿命,建议采取以下措施:
3DG145因其高频、低噪声的特点,主要应用于以下领域:
预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象,仅为图片呈现问题,不影响文档的下载及阅读体验。
当文档总页数显著少于常规篇幅时,建议审慎下载。
资源简介仅为单方陈述,其信息维度可能存在局限,供参考时需结合实际情况综合研判。
如遇下载中断、文件损坏或链接失效,可提交错误报告,客服将予以及时处理。