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资源简介
摘要：本文件规定了半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法，包括测试条件、设备要求和操作步骤。本文件适用于半导体光耦合器产品的性能检测与质量评估。
Title：Test Method for Collector-Emitter Reverse Breakdown Voltage of Semiconductor Optocouplers
中国标准分类号：M73
国际标准分类号：31.140 -
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拓展解读
主要内容总结
SJ 2215.7-1982 是关于半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压测试方法的标准。该标准详细规定了测试环境、设备要求、测试步骤以及数据处理方法，旨在确保测试结果的一致性和准确性。
对比老版本的变化
- 测试环境: 新版本对温度和湿度的要求更加严格，以减少外界因素对测试结果的影响。
- 设备要求: 引入了更高精度的测量仪器，并对设备校准周期进行了明确规定。
- 测试步骤: 增加了多点测试的要求，以全面评估器件性能。同时优化了数据采集流程，提高测试效率。
- 数据处理: 强调了统计分析的重要性，要求提供更详细的测试报告，包括平均值、标准偏差等指标。
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