-
资源简介
摘要：本文件规定了CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管的设计、生产和验收。
Title：SJ 2097-1982 Specification for CS40 N-channel Junction Field Effect Small Power Semiconductor Switching Transistor
中国标准分类号：M53
国际标准分类号：31.080 -
封面预览
-
拓展解读
总结 SJ 2097-1982 CS40型 N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
SJ 2097-1982 标准定义了 CS40 型 N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管的技术要求和测试方法。这种三极管主要用于电子电路中的开关应用，具有低导通电阻和高输入阻抗的特点。
- 主要参数：
- 漏极电流（ID）：最大值为40mA。
- 击穿电压（BVDS）：最小值为25V。
- 栅源阈值电压（VGS(th)）：范围在0.5V到3.0V之间。
- 输入阻抗：极高，适合高频开关应用。
- 应用场景：
- 用于信号放大和电路开关。
- 适合低功耗和高频工作的场合。
对比老版本的变化
与老版本相比，SJ 2097-1982 在以下几个方面进行了改进：
- 性能提升： 新标准提高了漏极电流的额定值，从原来的30mA提升至40mA，增强了负载驱动能力。
- 可靠性增强： 击穿电压从原来的20V提高到25V，增加了器件的安全工作区。
- 一致性优化： 栅源阈值电压的范围更加精确，减少了生产过程中的偏差。
- 适应性扩展： 针对更高频率的应用需求，优化了输入阻抗特性。
-
下载说明预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象，仅为图片呈现问题，不影响文档的下载及阅读体验。 当文档总页数显著少于常规篇幅时，建议审慎下载。 资源简介仅为单方陈述，其信息维度可能存在局限，供参考时需结合实际情况综合研判。 如遇下载中断、文件损坏或链接失效，可提交错误报告，客服将予以及时处理。