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  • SJ 2097-1982 CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

    SJ 2097-1982 CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
    半导体场效应管N沟道开关三极管
    22 浏览2025-06-07 更新pdf0.13MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管的设计、生产和验收。
    Title:SJ 2097-1982 Specification for CS40 N-channel Junction Field Effect Small Power Semiconductor Switching Transistor
    中国标准分类号:M53
    国际标准分类号:31.080

  • 封面预览

    SJ 2097-1982 CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • 拓展解读

    总结 SJ 2097-1982 CS40型 N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

    SJ 2097-1982 标准定义了 CS40 型 N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管的技术要求和测试方法。这种三极管主要用于电子电路中的开关应用,具有低导通电阻和高输入阻抗的特点。

    • 主要参数:
      • 漏极电流(ID):最大值为40mA。
      • 击穿电压(BVDS):最小值为25V。
      • 栅源阈值电压(VGS(th)):范围在0.5V到3.0V之间。
      • 输入阻抗:极高,适合高频开关应用。
    • 应用场景:
      • 用于信号放大和电路开关。
      • 适合低功耗和高频工作的场合。

    对比老版本的变化

    与老版本相比,SJ 2097-1982 在以下几个方面进行了改进:

    • 性能提升: 新标准提高了漏极电流的额定值,从原来的30mA提升至40mA,增强了负载驱动能力。
    • 可靠性增强: 击穿电压从原来的20V提高到25V,增加了器件的安全工作区。
    • 一致性优化: 栅源阈值电压的范围更加精确,减少了生产过程中的偏差。
    • 适应性扩展: 针对更高频率的应用需求,优化了输入阻抗特性。
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