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    SJ 2065-1982 半导体器件生产用扩散炉测试方法
    半导体器件扩散炉测试方法生产工艺参数
    17 浏览2025-06-07 更新pdf0.31MB 未评分
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    摘要:本文件规定了半导体器件生产用扩散炉的测试方法,包括温度均匀性、升温速率、恒温稳定性和其他关键工艺参数的测量方法。本文件适用于半导体器件制造过程中使用的扩散炉性能评估和质量控制。
    Title:Test Methods for Diffusion Furnaces Used in Semiconductor Device Production
    中国标准分类号:M53
    国际标准分类号:25.160

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    SJ 2065-1982 半导体器件生产用扩散炉测试方法
  • 拓展解读

    主要内容总结

    SJ 2065-1982《半导体器件生产用扩散炉测试方法》规定了用于半导体器件制造的扩散炉性能测试的具体方法和要求。该标准适用于评估扩散炉在实际生产中的适用性和可靠性,确保其能够满足半导体器件制造的质量需求。

    与老版本的变化对比

    • 测试项目更新:新版本增加了对扩散炉温度均匀性、气氛控制精度以及能耗效率的测试要求,而旧版本仅关注基本的温度分布测试。
    • 测量精度提升:新版本对测试仪器的精度提出了更高的要求,例如要求温度传感器的误差不得超过±0.5℃,而旧版本允许误差范围更大。
    • 操作流程优化:新版本简化了部分测试步骤,并提供了更详细的测试环境准备说明,以减少人为误差的影响。
    • 新增安全规范:新版本增加了扩散炉运行过程中的安全注意事项,强调了设备维护和操作人员培训的重要性,而旧版本未涉及此内容。
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