SJ 20091-1992 CT110型瓷介固定电容器详细规范

SJ 20091-1992 CT110型瓷介固定电容器详细规范

CT110型瓷介固定电容器是一种广泛应用于电子设备中的关键元件，其性能直接影响到电路的稳定性和可靠性。本规范旨在为设计、生产和测试该类型电容器提供详细的指导和标准。

技术参数

• 额定电压范围: 50VDC 至 500VDC
• 电容值范围: 100pF 至 10nF
• 温度范围: -55°C 至 +125°C
• 绝缘电阻: ≥1000MΩ
• 损耗因子: ≤0.01（@1kHz）

材料与结构

CT110型瓷介固定电容器采用高质量陶瓷材料作为介质，具有良好的耐热性和耐压性。外壳通常由金属或塑料制成，以确保机械强度和电气隔离。

制造工艺

• 使用先进的涂覆技术确保电极与介质之间的均匀接触。
• 通过高温烧结工艺提高电容器的可靠性和稳定性。
• 严格的质量控制流程，包括尺寸检查、电气性能测试等。

应用领域

• 通信设备
• 工业控制
• 汽车电子
• 消费电子产品

测试方法

• 使用LCR表测量电容值和损耗因子。
• 在不同温度条件下进行绝缘电阻测试。
• 高压测试以验证电容器的耐压能力。

通过遵循本规范，可以确保CT110型瓷介固定电容器在各种应用场景中表现出色，满足用户的高性能需求。