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资源简介
摘要：本文件规定了2CL3型硅高压整流堆的详细技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于2CL3型硅高压整流堆的设计、制造和验收。
Title：Semiconductor Discrete Devices - Detailed Specifications for 2CL3 Type Silicon High Voltage Rectifier Stack
中国标准分类号：M61
国际标准分类号：31.080 -
封面预览
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拓展解读
概述
本文件规定了SJ 20066-1992《半导体分立器件.2CL3型硅高压整流堆详细规范》的主要内容，并对比了与老版本的变化。
主要内容
- 适用范围: 适用于2CL3型硅高压整流堆的生产、检验和验收。
- 结构要求: 包括外形尺寸、引脚排列、封装材料等具体参数。
- 电气特性: 明确了最大反向电压、正向电流、反向漏电流等关键指标。
- 测试方法: 规定了各项性能测试的具体步骤和环境条件。
- 可靠性要求: 提出了长期稳定性、温度循环测试等可靠性评估标准。
与老版本的变化
- 更新了技术指标: 新版提高了部分电气特性的要求，例如增加了更高的反向电压等级。
- 改进了测试方法: 引入了更先进的测试设备和技术，确保数据的准确性。
- 优化了封装材料: 使用新型材料以提高产品的耐热性和抗老化能力。
- 新增了环保要求: 符合最新的环保标准，限制有害物质的使用。
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