• 首页
  • 查标准
  • 下载
  • 专题
  • 标签
  • 首页
  • 标准
  • 制造
  • SJ 1999-1981 CS29型低频低噪声场效应半导体对管

    SJ 1999-1981 CS29型低频低噪声场效应半导体对管
    场效应半导体低频低噪声对管半导体器件
    14 浏览2025-06-07 更新pdf0.15MB 未评分
    加入收藏
    立即下载
  • 资源简介

    摘要:本文件规定了CS29型低频低噪声场效应半导体对管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于CS29型低频低噪声场效应半导体对管的设计、生产和验收。
    Title:SJ 1999-1981 CS29 Type Low Frequency Low Noise Field Effect Semiconductor Pair Tube
    中国标准分类号:M43
    国际标准分类号:31.080.01

  • 封面预览

    SJ 1999-1981 CS29型低频低噪声场效应半导体对管
  • 拓展解读

    主要内容

    SJ 1999-1981 CS29型低频低噪声场效应半导体对管是一种专门设计用于低频和低噪声环境的半导体器件。它通常用于需要高精度和低失真的电路中。

    • 主要特点包括低噪声系数和高增益。
    • 适用于音频处理、射频信号放大等场景。

    对比老版本的变化

    与老版本相比,该型号在以下几个方面有所改进:

    • 性能提升: 新版本的噪声系数更低,增益更高。
    • 稳定性增强: 改进了温度稳定性,适合更广泛的温度范围。
    • 封装优化: 封装尺寸更小,便于集成到更紧凑的设计中。
  • 下载说明

    预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象,仅为图片呈现问题,不影响文档的下载及阅读体验。

    当文档总页数显著少于常规篇幅时,建议审慎下载。

    资源简介仅为单方陈述,其信息维度可能存在局限,供参考时需结合实际情况综合研判。

    如遇下载中断、文件损坏或链接失效,可提交错误报告,客服将予以及时处理。

  • 相关资源
    下一篇 SJ 2000-1981 CS30型低频低噪声场效应半导体对管

    SJ 2001-1981 CS31型低频低噪声场效应半导体对管

    SJ 2002-1981 CS32型低频低噪声场效应半导体对管

    SJ 2003-1981 CS33型低频低噪声场效应半导体对管

    SJ 2004-1981 CS34型低频低噪声场效应半导体对管

资源简介
封面预览
拓展解读
下载说明
相关资源
  • 帮助中心
  • 网站地图
  • 联系我们
2024-2025 WenDangJia.com 浙ICP备2024137650号-1