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资源简介
摘要：本文件规定了3DD157型、3DD158型NPN硅扩散台面低频大功率三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DD157型、3DD158型NPN硅扩散台面低频大功率三极管的设计、生产和验收。
Title：Specification for 3DD157 and 3DD158 Type NPN Silicon Diffused Planar Low-frequency High-power Transistors
中国标准分类号：M42
国际标准分类号：31.080.20 -
封面预览
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拓展解读
总结主要内容
SJ 1639-1980 标准定义了两种NPN硅扩散台面低频大功率三极管的规格，分别是3DD157型和3DD158型。这些三极管主要用于低频环境下的高功率应用。
对比与老版本的变化
- 材料改进: 使用更先进的硅扩散技术，提高了器件的稳定性和耐久性。
- 性能提升: 新版本在功率处理能力和频率响应方面有所优化，确保更好的工作效率。
- 可靠性增强: 引入了更严格的生产标准，减少了故障率。
- 尺寸变化: 可能存在封装尺寸的微调以适应现代电路设计需求。
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