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资源简介
摘要：本文件规定了3CG103型PNP硅外延平面高频小功率三极管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于3CG103型PNP硅外延平面高频小功率三极管的设计、生产和验收。
Title：Specification for 3CG103 Type PNP Silicon Epitaxial Planar High Frequency Low Power Transistor
中国标准分类号：M65
国际标准分类号：31.080.20 -
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拓展解读
总结 SJ 1471-1979 3CG103型三极管的主要内容
SJ 1471-1979 标准定义了 3CG103 型 PNP 硅外延平面高频小功率三极管的技术要求和测试方法。该三极管主要用于高频电路中，具有低噪声、高增益的特点，适用于信号放大场景。
- 结构特点：采用硅外延平面工艺制造，具备良好的频率响应特性。
- 性能参数：包括电流增益、集电极-发射极击穿电压、最大耗散功率等关键指标。
- 应用领域：广泛应用于通信设备、雷达系统及高频模拟电路中。
对比与老版本的变化
相比老版本，SJ 1471-1979 在以下几个方面进行了改进和优化：
- 工艺升级：从传统的扩散工艺升级为外延平面工艺，提高了器件的稳定性和一致性。
- 性能提升：增加了高频工作范围，提升了电流增益和频率响应能力。
- 可靠性增强：优化了热设计，降低了高温下的参数漂移风险。
- 测试标准完善：新增了一些关键参数的测试方法，并明确了更严格的容差范围。
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