JBT 8736-1998 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片

关于JBT 8736-1998 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片的常见问题解答

什么是JBT 8736-1998标准？

JBT 8736-1998是中国国家机械行业标准，规定了用于电力半导体模块的氮化铝陶瓷基片的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等内容。

为什么选择氮化铝作为陶瓷基片材料？

Nitrogen aluminum (AlN) 被选为陶瓷基片材料的主要原因是其具有极高的热导率（约170-230 W/m·K），能够有效散热，同时具备良好的机械强度和绝缘性能，非常适合应用于高温、高压的电力电子领域。

氮化铝陶瓷基片的主要技术指标有哪些？

• 热导率：≥170 W/m·K
• 线膨胀系数：4.5×10⁻⁶/K
• 介电强度：≥15 kV/mm
• 弯曲强度：≥350 MPa
• 表面粗糙度：Ra≤0.6 μm

如何判断氮化铝陶瓷基片的质量是否符合标准？

可以通过以下测试方法验证：热导率测试、线膨胀系数测试、介电强度测试、弯曲强度测试、表面粗糙度测量等。具体测试方法可参考JBT 8736-1998标准中的相关规定。

氮化铝陶瓷基片在使用过程中需要注意哪些事项？

• 避免剧烈温度变化，防止热冲击导致开裂。
• 保持基片表面清洁，避免油污或颗粒污染。
• 安装时需均匀施加压力，避免局部应力集中。
• 定期检查基片的外观和性能，确保长期稳定运行。

氮化铝陶瓷基片与氧化铝陶瓷基片相比有何优势？

• 热导率更高：氮化铝的热导率远高于氧化铝（氧化铝约为20-30 W/m·K）。
• 热膨胀系数更匹配：氮化铝的热膨胀系数接近硅芯片，减少了热失配问题。
• 机械强度更好：氮化铝的弯曲强度显著优于氧化铝。

氮化铝陶瓷基片的使用寿命有多长？

氮化铝陶瓷基片的使用寿命取决于具体的工作环境和使用条件。在正常工作条件下，其使用寿命通常可达10年以上。若遇到极端条件（如频繁热冲击或化学腐蚀），可能需要缩短更换周期。

氮化铝陶瓷基片的价格是否昂贵？

相较于其他陶瓷材料（如氧化铝），氮化铝的成本确实较高。但其优异的热导率和机械性能使其成为高性能电力半导体模块的理想选择，综合性价比仍然很高。

如何正确储存氮化铝陶瓷基片？

• 存放在干燥、无尘的环境中，避免潮湿和污染。
• 避免接触酸碱性物质或其他腐蚀性化学品。
• 轻拿轻放，避免碰撞和摔落。