TCASAS 030-2023 GaN毫米波前端芯片测试方法

摘要：本文件规定了GaN毫米波前端芯片的测试条件、测试项目、测试方法及结果判定。本文件适用于GaN材料制备的毫米波频段前端芯片性能评估与质量检测。
Title：Test Methods for GaN Millimeter-Wave Front-End Chips
中国标准分类号：
国际标准分类号：31.140

在TCAS AS 030-2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》中，有一项重要的更新是关于射频功率测试部分，特别是峰值功率测量的要求。与旧版相比，新版标准对测试环境、设备校准以及数据处理等方面提出了更严格的规定。

以峰值功率测量为例，在实际应用中，正确理解并执行这些要求对于确保测试结果的准确性和可靠性至关重要。新版标准特别强调了使用带有脉冲调制信号源和宽带功率计的测试系统，并且要求在整个工作频段内保持频率响应的一致性。此外，还增加了对测试电缆损耗补偿的具体步骤说明，这对于高频段的毫米波器件尤为重要。

例如，在进行峰值功率测量时，首先需要根据被测件的工作参数选择合适的测试夹具，确保良好的电气连接。接着，按照标准提供的校准流程完成系统的校准工作，包括直通校准、负载牵引校准等。然后设置适当的触发条件来捕获完整的脉冲波形，并记录下每个脉冲的最大值作为峰值功率。最后，利用软件工具分析所采集的数据，得出最终的测试报告。

通过这样的详细解读可以看出，新版标准不仅提高了测试精度，而且为行业提供了更为统一的操作指南，有助于促进GaN毫米波前端芯片技术的发展。