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摘要:本文件规定了使用电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的试验方法、结果计算和精密度要求。本文件适用于碳化硅晶片中痕量金属元素的定量分析,包括但不限于铝、铁、铜、钠、钾等元素的测定。
Title:Determination of Metal Element Content on the Surface of Silicon Carbide Wafers by Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry
中国标准分类号:J72
国际标准分类号:71.040.50
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拓展解读
在TCAS AS 032-2023《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》中,有一项重要的改动是关于样品前处理步骤的优化。这一改动直接影响了检测结果的准确性和可靠性。
原标准中,样品前处理过程较为繁琐,包括多次清洗和复杂的化学试剂使用,这不仅增加了操作难度,还可能引入额外的污染源,影响最终的测试结果。而在新版标准中,对样品前处理进行了简化和优化,采用了更高效的清洗程序,并减少了不必要的化学试剂使用。
例如,在旧版标准中,对于碳化硅晶片的清洗,通常需要使用硝酸、氢氟酸等多种强腐蚀性酸液进行多次浸泡和冲洗。这种方法虽然能够有效去除表面附着物,但操作复杂且存在安全隐患。而在新版标准中,推荐使用一种新型的超声波清洗设备配合专用清洗剂,只需一次清洗即可达到相同的效果。这种改进不仅降低了操作人员的工作强度,还显著提高了清洗效率和安全性。
具体应用时,首先将待测碳化硅晶片放入超声波清洗槽内,加入适量的专用清洗剂后启动超声波设备,设定工作时间为10-15分钟。清洗完成后,用去离子水彻底冲洗干净并自然晾干。整个过程中无需接触任何强腐蚀性化学品,极大程度上避免了因操作不当导致的安全事故。
通过这样的改进,使得该标准更加符合现代实验室的实际需求,同时也为行业提供了更为科学合理的检测手段。这种变化体现了标准化工作紧跟技术进步的步伐,不断自我完善的过程。