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  • GBT 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

    GBT 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
    半导体器件分立器件双极型晶体管高频放大管壳额定值
    14 浏览2025-06-08 更新pdf0.89MB 未评分
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    摘要:本文件规定了高频放大用壳额定双极型晶体管的技术要求、试验方法和标志。本文件适用于高频放大用途的双极型晶体管。
    Title:Semiconductor Devices - Discrete Devices - Part 7: Bipolar Transistors - Section 4: Blank Detailed Specifications for High Frequency Amplifier Bipolar Transistors with Package Ratings
    中国标准分类号:M53
    国际标准分类号:31.080.20

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    GBT 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
  • 拓展解读

    GBT 7576-1998 主要内容

    该标准规定了高频放大用双极型晶体管的额定值和特性要求,适用于分立器件的设计、生产和测试。

    对比老版本的变化

    • 技术指标更新: 新版本对高频性能参数进行了优化,增加了对更高频率范围的支持。
    • 可靠性要求: 引入了更严格的可靠性测试条件,以确保器件在恶劣环境下的稳定性。
    • 材料兼容性: 扩展了对新型半导体材料的兼容性要求,适应现代制造工艺的发展。
    • 测试方法改进: 更新了部分测试方法,提高了测量精度和一致性。
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