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资源简介
摘要：本文件规定了1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管的设计、生产和验收。
Title：Semiconductor Devices - Discrete Devices - Part 8: Field Effect Transistors - Section 1: Blank Detailed Specifications for Single-Gate Field Effect Transistors Below 1GHz and 5W
中国标准分类号：M23
国际标准分类号：31.080.20 -
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拓展解读
GBT 6219-1998 主要内容
该标准规定了1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管的空白详细规范，包括产品的分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。
与老版本的变化
- 技术要求更新： 新版标准对晶体管的性能参数提出了更高的要求，例如频率范围扩展至1GHz，并增加了功率效率的测试指标。
- 试验方法改进： 引入了更先进的测试设备和方法，确保测量结果更加精确可靠。
- 检验规则优化： 增加了抽样检验的比例，并明确了不合格品的处理流程。
- 标志和包装加强： 对产品的标识信息进行了标准化，同时提高了包装材料的要求以增强防护性。
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GBT 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
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