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    GBT 5201-2012 带电粒子半导体探测器测量方法
    带电粒子半导体探测器测量方法辐射检测粒子能量
    16 浏览2025-06-08 更新pdf0.52MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了带电粒子半导体探测器的测量方法,包括探测器的基本特性、校准方法及性能评估。本文件适用于使用半导体材料进行带电粒子探测和测量的设备。
    Title:Measurement Method for Charged Particle Semiconductor Detectors
    中国标准分类号:O7
    国际标准分类号:17.240

  • 封面预览

    GBT 5201-2012 带电粒子半导体探测器测量方法
  • 拓展解读

    GBT 5201-2012 主要内容

    GBT 5201-2012《带电粒子半导体探测器测量方法》规定了用于测量带电粒子半导体探测器性能的技术要求和测试方法。该标准适用于各种类型的半导体探测器,包括硅、锗等材料制成的探测器。

    • 测量范围:明确了探测器在不同能量范围内的响应特性。
    • 测试环境:对测试时的温度、湿度等环境条件提出了具体要求。
    • 数据采集:详细描述了数据采集系统的配置及校准方法。
    • 结果分析:提供了数据分析和评估的具体步骤,确保测量结果的准确性。

    与老版本的变化

    相比老版本,GBT 5201-2012 在以下几个方面进行了更新和改进:

    • 更严格的环境控制:增加了对测试环境的精确要求,以减少外部因素对测量结果的影响。
    • 新增测试项目:引入了一些新的测试项目,例如对高能粒子探测能力的评估。
    • 优化测量流程:简化了一些复杂的测量步骤,并提高了操作的便捷性。
    • 增强数据可靠性:通过改进的数据处理算法,提高了测量结果的可靠性和重复性。
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