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摘要:本文件规定了使用红外反射法测量碳化硅外延层厚度的测试方法,包括设备要求、样品制备、测量步骤和数据处理。本文件适用于碳化硅外延层厚度的定量分析及质量控制。
Title:Test Method for Silicon Carbide Epitaxial Layer Thickness by Infrared Reflection
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
GBT 42905-2023 是一项关于碳化硅(SiC)外延层厚度测试的技术标准,特别强调了红外反射法的应用。这项标准为碳化硅材料的生产和应用提供了精确测量外延层厚度的方法,这对于半导体器件的性能优化至关重要。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,因其优异的热导率和耐高压特性,在电力电子、射频器件等领域具有广泛应用。
红外反射法是一种基于光学特性的非接触式测量技术。其基本原理是利用红外光在外延层与衬底之间的反射差异来计算厚度。当红外光照射到碳化硅外延层时,部分光线被反射回探测器,而另一部分则穿透至衬底并再次反射。通过分析这些反射信号的相位差和强度变化,可以准确推算出外延层的厚度。
以某知名半导体公司为例,他们采用红外反射法对碳化硅外延片进行质量控制。在一次大规模生产中,该公司通过GBT 42905-2023 标准验证了红外反射法的有效性。结果显示,测量误差控制在 ±1% 以内,显著优于传统机械测量方法。这一成果不仅提高了产品的良品率,还大幅降低了生产成本。
随着碳化硅材料在新能源汽车、轨道交通等领域的普及,对外延层厚度测量的需求将进一步增加。未来的研究方向可能包括:
GBT 42905-2023 的发布标志着碳化硅材料测试技术迈上了一个新台阶,为推动全球半导体行业的进步提供了重要支持。