GBT 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

GBT 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

GBT 41033-2021 是关于 CMOS 集成电路抗辐射加固设计的标准，旨在规范和指导抗辐射设计的技术要求和方法。以下是该标准的主要内容及与老版本的变化对比。

主要内容

• 辐射效应分析：详细描述了 CMOS 集成电路可能面临的总电离剂量（TID）效应、单粒子效应（SEE）等辐射效应，并提出了相应的分析方法。
• 设计方法：明确了在设计阶段应采取的抗辐射加固措施，包括电路结构优化、材料选择以及布局布线技术。
• 测试与验证：规定了抗辐射性能测试的具体流程和指标要求，确保设计符合预期的抗辐射能力。
• 文档要求：强调了在整个设计过程中需要记录和保存的设计文档和技术资料的重要性。

与老版本的变化

• 新增内容：
  • 增加了对最新辐射效应的研究成果，例如更精确的 SEE 模型。
  • 引入了新的测试方法以提高抗辐射性能评估的准确性。
• 改进部分：
  • 优化了设计流程中的关键步骤，提高了设计效率。
  • 强化了对新材料应用的指导，适应现代工艺技术的发展。
• 删除内容：
  • 移除了过时的测试方法和不适用的设计建议。