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摘要:本文件规定了同质结晶体硅光伏电池的生产技术要求、工艺流程、质量控制及检测方法。本文件适用于产线用同质结晶体硅光伏电池的制造和相关工艺改进。
Title:Production Guidelines for Monocrystalline Silicon Photovoltaic Cells - Part 1: Homojunction Crystalline Silicon PV Cells
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:27.160
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拓展解读
在TCPIA 0048.1-2022标准中,与前版相比,关于“同质结晶体硅光伏电池表面制绒工艺”的要求有了显著更新。新标准对制绒深度和均匀性提出了更严格的规定,以提升电池的光吸收效率。
例如,在旧版标准中,仅要求制绒深度在10-20微米范围内即可,而新版标准则细化为正面制绒深度需控制在15±2微米,并且要求绒面结构的均匀度达到90%以上。这一变化主要是基于近年来光伏技术的进步,发现更加精确的制绒参数能够有效减少表面反射率,提高短路电流密度。
为了实现这样的制绒效果,实际操作时需要采用湿法腐蚀工艺,并通过优化腐蚀液成分及温度来调控。具体而言,可选用氢氟酸与硝酸混合溶液作为腐蚀剂,保持温度在30-40摄氏度之间,同时严格监控反应时间,确保每个电池片都能获得一致的处理效果。此外,还需定期校准测量设备,如台阶仪等,用于检测制绒后的表面形貌参数是否符合标准要求。通过这些细致的操作流程,可以确保生产出的同质结晶体硅光伏电池具备更高的光电转换效率。