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摘要:本文件规定了用电感耦合等离子体质谱法测定电子级多晶硅中基体金属杂质含量的方法。本文件适用于电子级多晶硅中痕量金属杂质的定量分析,检测范围通常为pg/g至ng/g级别。
Title:Determination of matrix metal impurities content in electronic grade polycrystalline silicon - Inductively coupled plasma mass spectrometry
中国标准分类号:H23
国际标准分类号:71.040.50
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拓展解读
随着半导体技术的发展,电子级多晶硅作为半导体工业的重要基础材料,其纯度直接决定了半导体器件的性能和可靠性。为了确保电子级多晶硅的质量,GB/T 37049-2018 标准引入了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)作为测定基体金属杂质含量的关键方法。
本文将从方法原理、技术优势以及实际应用三个方面对这一标准进行深入探讨。
电感耦合等离子体质谱法是一种高灵敏度、高选择性的分析技术,其核心原理是利用电感耦合等离子体(ICP)作为离子源,通过质谱仪检测样品中的元素组成及含量。
与传统的化学分析方法相比,ICP-MS具有显著的技术优势:
在电子级多晶硅的生产过程中,基体金属杂质的存在会严重影响半导体器件的性能。因此,采用 GBT 37049-2018 标准中规定的 ICP-MS 方法,可以实现对金属杂质的精准控制。
综上所述,GB/T 37049-2018 标准中提出的电感耦合等离子体质谱法为电子级多晶硅的质量控制提供了科学、可靠的技术手段,对于推动半导体行业的发展具有重要意义。