资源简介
摘要:本文件规定了低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法,包括样品制备、腐蚀处理、显微镜观察及数据处理等内容。本文件适用于低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度检测及相关质量评价。
Title:Measurement method for etch pit density (EPD) of germanium single crystal wafers with low dislocation density
中国标准分类号:H12
国际标准分类号:25.160
封面预览
拓展解读
什么是腐蚀坑密度(EPD)?
腐蚀坑密度(EPD)是指在特定条件下,通过化学腐蚀处理后,在锗单晶片表面形成的腐蚀坑数量与测试面积之比。它是评估锗单晶材料低位错密度的重要指标。
为什么测量EPD很重要?
EPD是衡量锗单晶质量的关键参数之一,它直接反映了晶体内部的缺陷密度。较低的EPD通常意味着更高的晶体纯度和更好的性能,这对半导体器件制造至关重要。
GBT 34481-2017标准的主要内容是什么?
GBT 34481-2017标准详细规定了如何通过化学腐蚀法测量锗单晶片的EPD。该标准涵盖了样品准备、腐蚀条件、显微镜观察方法及结果计算等步骤。
测量EPD时需要哪些设备?
测量EPD的具体步骤是什么?
如何确保测量结果的准确性?
常见的误解有哪些?
EPD测量结果的单位是什么?
EPD的单位通常是“个/平方厘米”(#/cm²),表示每平方厘米表面的腐蚀坑数量。
如何判断测量结果是否符合标准要求?
根据GBT 34481-2017标准,将测量的EPD值与目标值进行比较。如果测量值低于或等于标准限值,则视为合格。
测量过程中需要注意哪些安全事项?