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  • GBT 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求

    GBT 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求
    半导体生产设施电磁兼容性EMC要求
    21 浏览2025-06-09 更新pdf0.38MB 未评分
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    摘要:本文件规定了半导体生产设施的电磁兼容性(EMC)要求,包括干扰源的限制和抗扰度的要求。本文件适用于半导体生产设施的设计、建设、运行和维护阶段的电磁兼容性评估与管理。
    Title:Requirements for Electromagnetic Compatibility of Semiconductor Manufacturing Facilities
    中国标准分类号:L80
    国际标准分类号:31.140

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    GBT 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求
  • 拓展解读

    GBT 30116-2013主要内容

    GBT 30116-2013《半导体生产设施电磁兼容性要求》规定了半导体生产设施中设备的电磁兼容性(EMC)要求。该标准适用于在工业环境中使用的半导体生产设备,旨在确保这些设备不会因电磁干扰而影响其他设备或自身性能。

    • 适用范围:涵盖半导体制造过程中涉及的所有设备和系统。
    • 测试方法:详细说明了如何进行电磁兼容性测试,包括发射测试和抗扰度测试。
    • 限值要求:明确了设备在不同频率范围内的电磁发射限值和抗扰度要求。
    • 安装指南:提供了设备安装时的电磁兼容性设计建议。

    与老版本的变化

    相比老版本,GBT 30116-2013在以下几个方面进行了更新和改进:

    • 更严格的限值:新版本对电磁发射和抗扰度的要求更加严格,以适应现代半导体技术的发展。
    • 新增测试项目:增加了对高频干扰和瞬态脉冲的测试要求。
    • 优化测试方法:改进了测试方法,使其更具可操作性和准确性。
    • 扩展应用领域:涵盖了更多类型的半导体生产设备,增强了标准的适用性。
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