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摘要:本文件规定了光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法的原理、仪器要求、样品制备、测试步骤、数据分析和结果报告。本文件适用于采用二次离子质谱法测定光伏电池用硅材料中的P、As、Sb施主杂质含量。
Title:Measurement method of donor impurities content of P, As, Sb in silicon materials for photovoltaic cells by secondary ion mass spectrometry
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:27.160
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拓展解读
GBT 29852-2013标准是光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量测量的重要依据,以下是该主题的常见问题解答。
GBT 29852-2013标准规定了通过二次离子质谱(SIMS)技术测定光伏电池用硅材料中磷(P)、砷(As)和锑(Sb)等施主杂质含量的方法。该标准适用于硅材料中痕量杂质的定量分析,为光伏行业提供了精确的技术支持。
二次离子质谱(SIMS)是一种高灵敏度的表面分析技术,通过将样品表面轰击成离子,并检测这些离子的质量来实现元素成分的分析。该技术具有高分辨率和高灵敏度的特点,非常适合用于痕量杂质的检测。
测量步骤主要包括以下几个方面:
测量结果的准确性可以通过以下方式进行验证:
GBT 29852-2013是中国国家标准,其方法和技术原理与国际上常用的类似标准(如ISO相关标准)基本一致。然而,该标准结合了中国光伏产业的实际需求,具有更强的针对性和适用性。
该标准广泛应用于光伏电池制造行业,具体包括:
如果测量结果显示杂质含量超标,应采取以下措施:
截至目前,GBT 29852-2013仍是现行有效的国家标准。如有更新版本发布,相关部门会及时通知用户,并提供最新版本的下载和说明。