资源简介
摘要:本文件规定了化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法,包括测试原理、设备要求、样品制备、测试步骤和结果分析。本文件适用于化合物半导体材料的质量控制和性能评估。
Title:Test Method for Subsurface Damage of Polished Compound Semiconductor Wafers by Reflection Differential Spectroscopy
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:31.140
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拓展解读
在遵循“GBT 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法”的核心原则基础上,可以通过以下方式提升灵活性、优化流程并降低测试成本。
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