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摘要:本文件规定了硅单晶退火片的术语和定义、产品分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以硅单晶为原料,经切片、倒角、研磨、退火等工艺制成的硅单晶退火片,主要用于半导体器件制造领域。
Title:Silicon Single Crystal Annealed Wafers
中国标准分类号:H32
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
以下是关于 GBT 26069-2022 标准中硅单晶退火片的一些常见问题及其详细解答。
GBT 26069-2022 是中国国家标准化管理委员会发布的关于硅单晶退火片的标准,用于规范硅单晶退火片的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等内容。
硅单晶退火片是指通过对硅单晶进行高温退火处理后制成的薄片材料。退火处理能够改善硅晶体内部的缺陷,提高其电学性能,广泛应用于半导体器件制造领域。
硅单晶退火片主要用于制造半导体器件,如太阳能电池、功率器件和集成电路等。其优良的电学性能使其成为高性能电子设备的理想材料。
可以通过以下步骤验证:
硅单晶退火片经过退火处理后,其电学性能(如少子寿命)显著提升,而普通硅片未经此处理,性能相对较低。此外,退火片更适合对电学性能要求较高的应用场景。
根据标准要求:
退火温度和时间通常由具体的工艺需求决定,一般需要在高温(如 1000°C 左右)下进行长时间处理(数小时至数十小时),以确保材料内部缺陷充分消除。
硅单晶退火片通常是一次性使用的材料,但某些情况下可通过重新退火恢复部分性能,具体取决于退火条件和使用环境。
选择时需考虑以下因素: