资源简介
摘要:本文件规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱(SIMS)检测方法的原理、设备要求、样品制备、测试步骤、数据处理及结果分析。本文件适用于采用二次离子质谱技术对重掺n型硅衬底中微量硼沾污进行定量和定性分析。
Title:Detection method of boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
中国标准分类号:K21
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
在遵循GB/T 24580-2009《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》的核心原则下,通过优化流程和降低成本,可以提高检测效率并增强灵活性。以下是10项可行的弹性方案。
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