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  • GBT 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

    GBT 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
    半导体器件分立器件微波二极管晶体管微波场效应晶体管
    19 浏览2025-06-09 更新pdf0.48MB 未评分
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    摘要:本文件规定了微波场效应晶体管的详细规范,包括定义、分类、特性参数、测试方法及质量保证等要求。本文件适用于微波场效应晶体管的设计、制造和检测。
    Title:Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Blank detailed specification for microwave field effect transistors
    中国标准分类号:M53
    国际标准分类号:31.080.20

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    GBT 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
  • 拓展解读

    GBT 21039.1-2007主要内容

    该标准规定了微波场效应晶体管的空白详细规范,适用于分立半导体器件的设计、生产和测试。

    • 定义了微波场效应晶体管的基本要求和特性参数。
    • 明确了测试方法和验收准则。
    • 提供了产品标识和包装的要求。

    与老版本的变化

    相比老版本,新版标准在以下几个方面进行了更新:

    • 技术要求:增加了对高频性能的新指标,并提高了部分参数的精度要求。
    • 测试方法:引入了更先进的测试技术和设备,以确保测量结果的准确性。
    • 环境适应性:加强了对极端温度和湿度条件下的性能评估。
    • 可靠性:增加了长期稳定性测试的内容,以提高产品的使用寿命。
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