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资源简介
摘要：本文件规定了微波场效应晶体管的详细规范，包括定义、分类、特性参数、测试方法及质量保证等要求。本文件适用于微波场效应晶体管的设计、制造和检测。
Title：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Blank detailed specification for microwave field effect transistors
中国标准分类号：M53
国际标准分类号：31.080.20 -
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拓展解读
GBT 21039.1-2007主要内容
该标准规定了微波场效应晶体管的空白详细规范，适用于分立半导体器件的设计、生产和测试。
- 定义了微波场效应晶体管的基本要求和特性参数。
- 明确了测试方法和验收准则。
- 提供了产品标识和包装的要求。
与老版本的变化
相比老版本，新版标准在以下几个方面进行了更新：
- 技术要求：增加了对高频性能的新指标，并提高了部分参数的精度要求。
- 测试方法：引入了更先进的测试技术和设备，以确保测量结果的准确性。
- 环境适应性：加强了对极端温度和湿度条件下的性能评估。
- 可靠性：增加了长期稳定性测试的内容，以提高产品的使用寿命。
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GBT 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
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