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资源简介
摘要：本文件规定了通过测量间隙氧含量的减少来表征硅片氧沉淀特性的方法。本文件适用于半导体硅片中氧沉淀行为的研究和评估。
Title：Method for Characterizing Oxygen Precipitation Properties of Silicon Wafers by Measuring the Reduction ofInterstitial Oxygen Content
中国标准分类号：H51
国际标准分类号：25.160 -
封面预览
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拓展解读
引言
SJT 10627-1995 是一项重要的国家标准，用于描述通过测量间隙氧含量的减少来表征硅片氧沉淀特性的方法。这项技术在半导体制造领域具有重要意义，因为它能够帮助研究人员更好地理解硅片中氧沉淀的行为及其对器件性能的影响。
研究背景
在半导体工业中，硅片中的氧沉淀是一个关键因素。氧沉淀不仅影响硅片的机械强度，还可能对器件的电学特性产生负面影响。因此，准确地测量和表征这些沉淀对于优化生产工艺至关重要。
方法概述
SJT 10627-1995 提供了一种基于测量间隙氧含量减少的方法来评估硅片的氧沉淀特性。这种方法的核心在于通过热处理过程观察氧原子如何从间隙位置迁移到晶格缺陷处形成沉淀。
- 样品准备: 首先需要制备一系列标准尺寸的硅片作为测试样本。
- 热处理: 将硅片置于高温环境中进行退火处理，以促进氧原子的迁移和沉淀形成。
- 氧含量检测: 使用红外光谱或其他高精度仪器测量不同时间点上的间隙氧含量变化。
实验结果与分析
通过对实验数据的分析可以发现，在特定条件下，随着退火时间的增长，间隙氧含量逐渐减少，并且这种减少趋势与预期模型相符。这表明该方法能够有效反映硅片内部氧沉淀的发展情况。
结论
SJT 10627-1995 中提出的通过测量间隙氧含量减少来表征硅片氧沉淀特性的方法是科学合理的。它为半导体行业提供了一种可靠的工具来监测和控制硅片质量，从而提高最终产品的可靠性和稳定性。
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