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    GBT 15713-1995 锗单晶片
    锗单晶片半导体材料晶体质量技术要求检测方法
    19 浏览2025-06-09 更新pdf0.3MB 未评分
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    摘要:本文件规定了锗单晶片的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以区熔法或直拉法生长的锗单晶制得的单晶片,主要用于半导体器件领域。
    Title:Germanium Monocrystalline Wafers
    中国标准分类号:H22
    国际标准分类号:29.045

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    GBT 15713-1995 锗单晶片
  • 拓展解读

    GBT 15713-1995 锗单晶片

    主要内容总结:

    • 规定了锗单晶片的术语和定义。
    • 详细描述了锗单晶片的技术要求,包括尺寸、电阻率、位错密度等指标。
    • 明确了试验方法,用于检测锗单晶片的各项性能参数。
    • 提供了检验规则,确保产品符合标准要求。
    • 规定了标志、包装、运输和贮存的具体要求。

    与老版本的变化对比:

    • 增加了对环境友好型材料的要求。
    • 优化了部分技术指标,提高了对电阻率和位错密度的精度要求。
    • 更新了试验方法,引入了更先进的检测技术和设备。
    • 完善了包装和运输规范,以减少在物流过程中的损坏风险。
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