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  • GBT 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法

    GBT 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法
    半导体X射线探测器能谱仪测量方法性能测试
    20 浏览2025-06-09 更新pdf2.37MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的主要技术指标及相应的测量方法。本文件适用于以Si(Li)、Ge(Li)等为探测器的半导体X射线能谱仪及其系统的测量。
    Title:Measurement Method for Semiconductor X-ray Detector System and Semiconductor X-ray Spectrometer
    中国标准分类号:O73
    国际标准分类号:17.220.20

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    GBT 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法
  • 拓展解读

    GBT 11685-2003主要内容

    GBT 11685-2003《半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法》规定了半导体X射线探测器系统的性能测试方法,包括探测效率、能量分辨率、线性度等关键参数的测量步骤和要求。标准适用于半导体X射线探测器及其相关能谱仪的生产、检测和应用。

    • 探测效率测量:通过标准放射源和几何校正计算探测器的相对探测效率。
    • 能量分辨率测试:使用单能X射线源评估探测器的能量分辨率。
    • 线性度验证:通过不同强度的X射线源检查探测器输出信号的线性响应。
    • 温度影响分析:研究温度变化对探测器性能的影响。

    与老版本的变化

    相比老版本,GBT 11685-2003在以下几个方面进行了更新:

    • 更精确的测量方法:引入了更高精度的仪器和校准流程。
    • 新增内容:
      • 增加了对新型半导体材料(如硅漂移探测器)的支持。
      • 补充了低温环境下的性能测试要求。
    • 改进的测试流程:优化了部分测试步骤,提高了操作的可重复性和准确性。
    • 扩展的应用场景:涵盖了更多工业和科研领域的具体应用场景。
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