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资源简介
摘要：本文件规定了碳化硅单晶生长装置的基本技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用物理气相传输法（PVT）或其他类似方法进行碳化硅单晶生长的电热和电磁处理装置。
Title：Basic technical requirements for electrothermal and electromagnetic processing equipment - Part 417: Silicon carbide single crystal growth equipment
中国标准分类号：L80
国际标准分类号：25.160 -
封面预览
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拓展解读
GBT 10067.417-2023主要内容
本标准规定了碳化硅单晶生长装置的基本技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。
与老版本的变化
- 技术要求更新：增加了对装置能耗效率的具体指标要求，同时提高了对环境适应性的测试标准。
- 试验方法改进：引入了更先进的检测设备和技术手段，确保数据的准确性和可靠性。
- 安全规范强化：新增了多项安全防护措施，包括电气安全、机械安全等方面的要求。
- 环保考量：强调装置在设计和生产过程中应减少有害物质的使用，并符合最新的环保法规。
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