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资源简介
摘要：本文件规定了锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法，包括样品制备、测试设备要求、测量步骤及数据处理等内容。本文件适用于锑化铟单晶材料的电学性能评估及相关研究领域。
Title：Test Method for Resistivity and Hall Coefficient of Indium Antimonide Single Crystal
中国标准分类号：H24
国际标准分类号：25.160 -
封面预览
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拓展解读
GB 11297.7-1989 标准主要内容
该标准规定了锑化铟单晶材料电阻率及霍耳系数的测试方法，适用于半导体材料的研究、生产和质量控制。
对比老版本的变化
- 测量精度提升：新版本引入了更精确的测量设备和校准流程，提高了测试数据的可靠性。
- 操作步骤优化：对实验操作步骤进行了简化和标准化，便于实际操作人员快速掌握。
- 环境要求明确：增加了对测试环境的具体要求，如温度、湿度等，以减少外部因素对测试结果的影响。
- 安全规范完善：补充了更多的安全注意事项，确保实验过程中人员和设备的安全。
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