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资源简介
摘要：本文件规定了硅片径向电阻率变化的测量方法，包括测量原理、设备要求、样品制备、测量步骤和数据处理。本文件适用于单晶硅片径向电阻率变化的定量分析。
Title：Measurement Method for Radial Resistivity Variation of Silicon Wafers
中国标准分类号：H23
国际标准分类号：25.160 -
封面预览
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拓展解读
GB 11073-1989主要内容
GB 11073-1989《硅片径向电阻率变化的测量方法》规定了用于测量硅片径向电阻率变化的方法和步骤，适用于半导体材料中硅片的径向电阻率分布检测。
与老版本的变化
- 测量精度提升：新标准引入了更精确的测量仪器和校准要求，提高了测量结果的准确性。
- 适用范围扩展：增加了对不同类型硅片的支持，包括单晶硅和多晶硅片。
- 操作流程优化：简化了一些复杂的操作步骤，并提供了更详细的指导说明。
- 安全规范加强：新增了对操作人员的安全注意事项和设备维护要求。
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