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摘要:本文件规定了硅片径向电阻率变化的测量方法,包括测量原理、设备要求、样品制备、测量步骤和数据处理。本文件适用于单晶硅片径向电阻率变化的定量分析。
Title:Measurement Method for Radial Resistivity Variation of Silicon Wafers
中国标准分类号:H23
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
GB 11073-1989《硅片径向电阻率变化的测量方法》规定了用于测量硅片径向电阻率变化的方法和步骤,适用于半导体材料中硅片的径向电阻率分布检测。