TCASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法

本文以《TCAS AS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》中关于热阻测试部分的新老版本差异为切入点，深入分析其在实际应用中的关键变化及具体操作方法。

在旧版标准中，热阻的测量主要依赖于静态条件下的单一测试环境，这在一定程度上无法全面反映器件在动态工作状态下的真实性能。新版标准则引入了动态热阻的概念，并明确规定了在不同温度梯度和负载条件下的测试流程。例如，在进行热阻测试时，要求先将SiC MOSFET置于室温环境下预热至少30分钟，随后按照额定电流的50%、75%、100%三个等级逐步增加负载，每级负载持续运行10分钟，并记录相应的结温变化数据。

此外，新版标准还特别强调了测试设备的选择与校准精度的重要性。为了确保测量结果的准确性，建议使用具有高灵敏度的红外测温仪来实时监控器件表面温度，并且所有测试仪器均需定期送检，确保其计量特性符合要求。同时，对于测试过程中可能出现的各种干扰因素，如电磁干扰、振动等，也提出了具体的防护措施和技术要求。

通过以上改进，新版标准不仅提升了热阻测试的精确度，也为后续的产品设计提供了更为可靠的参考依据。在实际应用中，企业应严格按照新版标准的要求执行相关测试，从而更好地评估SiC MOSFET在复杂工况下的可靠性和稳定性。